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型号 SI8499DB-T2-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8499DB-T2-E1 PDF
代理商 SI8499DB-T2-E1
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 32 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 10V
功率 - 最大 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-MICRO FOOT?
供应商设备封装 6-Micro Foot?
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI8499DB-T2-E1TR
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